长鑫存储公布存储芯片技术取得突破,引发三星、SK海力士股价下跌
据彭博社报道,长鑫存储(CXMT)总裁曹堪宇在上海一场行业会议上宣布,公司将在年底前推出采用4F²架构的新一代数据中心服务器存储芯片。4F²设计可在更小面积内集成同等存储单元,而三星与SK海力士多年来一直未能实现该技术门槛。若属实,意味着CXMT在被美国制裁、无法获得ASML顶尖设备的情况下率先突破。曹堪宇称该方案通过垂直环绕栅极(Vertical Surrounding Gate)堆叠晶体管以降低漏电。消息引发全球芯片股抛售,三星与SK海力士周二在韩股下跌逾7%
据彭博社报道,长鑫存储(CXMT)总裁曹堪宇在上海一场行业会议上宣布,公司将在年底前推出采用4F²架构的新一代数据中心服务器存储芯片。4F²设计可在更小面积内集成同等存储单元,而三星与SK海力士多年来一直未能实现该技术门槛。若属实,意味着CXMT在被美国制裁、无法获得ASML顶尖设备的情况下率先突破。
曹堪宇称该方案通过垂直环绕栅极(Vertical Surrounding Gate)堆叠晶体管以降低漏电。消息引发全球芯片股抛售,三星与SK海力士周二在韩股下跌逾7%,美光隔夜收跌4%。CXMT在DRAM市场份额已从去年同期的4%升至今年二季度的10%。
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