台积电拟进军先进内存芯片制造，应英伟达要求布局3D DRAM
据 The Information 报道，两名消息人士表示，台积电(TSM.N)正在考虑扩展到先进内存芯片制造领域，这一举措将使全球最大的芯片制造商在 AI 硬件供应链中占据更大份额。台积电(TSM.N)最近开始制定生产一种特定类型的先进内存芯片——3D DRAM 的计划，响应其最大用户英伟达(NVDA.O)的请求。 DRAM，即动态随机存取内存，在处理器使用数据时保存数据。与传统 DRAM 不同，传统 DRAM 将内存单元放在单层中，而 3D DRAM 则将单元垂直堆
据 The Information 报道，两名消息人士表示，台积电(TSM.N)正在考虑扩展到先进内存芯片制造领域，这一举措将使全球最大的芯片制造商在 AI 硬件供应链中占据更大份额。台积电(TSM.N)最近开始制定生产一种特定类型的先进内存芯片——3D DRAM 的计划，响应其最大用户英伟达(NVDA.O)的请求。
DRAM，即动态随机存取内存，在处理器使用数据时保存数据。与传统 DRAM 不同，传统 DRAM 将内存单元放在单层中，而 3D DRAM 则将单元垂直堆叠以容纳更多内存。内存芯片制造目前由三星电子、SK 海力士和美光科技主导。这三家公司也在开发 3D DRAM 技术，展开下一代内存制造的竞争。这场由 AI 硬件热潮引发的内存芯片严重短缺，导致价格飙升，并促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻找额外的供应来源。
今年早些时候，苹果因内存成本上升而提高了其设备的价格。(金十)
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